01
功率半導體檢測設備行業現狀
功率半導體器件廣泛應用于輸電/儲電系統、電動汽車、家用電器、鐵路和工業設備等領域,通過提升能源效率來節約能源,減少二氧化碳排放。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料因其在更高電壓、頻率和溫度下的優異性能,逐漸取代傳統硅基器件。隨著功率半導體器件向小型化、集成化、大功率和低能耗方向不斷發展,對測試系統的要求日益趨嚴,測試設備必須滿足大功率、低噪聲、高精度和高速數據采集等性能要求,確保測試結果的準確性、可靠性和穩定性,同時拓展測試功能和適用場景,并降低測試成本。
目前,全球功率半導體檢測設備仍由國際廠商主導,其中功率半導體動態參數測試設備的主要生產廠商有泰瑞達(Teradyne)、是德科技(Keysight)等,且多以傳統Si基器件作為測試對象。在國家《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》等政策的推動下,國內企業開始聚焦于新型功率器件的動態參數測試技術,如IGBT和SiC MOSFET等功率器件低寄生參數動態測試。國內功率器件測試公司在大功率器件的動態參數測試設備領域取得了顯著進展,逐步實現了在功率半導體動態參數測試設備細分領域的國產替代。
▼功率半導體檢測設備主要生產企業

02
功率半導體器件的動態參數測試
動態測試系統是功率半導體器件研發和制造過程中重要的測試系統,其中動態測試指標對器件性能最為重要。參考IEC60747-8和IEC60747-9測試標準,二極管的反向恢復參數,柵極-漏極、柵極-源極及漏極-源極的電容效應等會影響開關速度、開關時間和開關損耗,因此需要精確測量相關特性參數,評估功率半導體器件的開關性能。

▲IEC 60747-8:MOSFET 的開通和關斷特性以及開關能量
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關特性,還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復二極管(FRD)等的反向恢復特性。因此,該測試方法對導通時發生反向恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。雙脈沖測試的基本電路圖如下所示。第一個脈沖相對較寬,以獲得一定的電流。同時第一個脈沖的下降沿作為關斷過程的觀測時刻,而第二個脈沖的上升沿則作為開通過程的觀測時刻。

▲雙脈沖測試測試(DPT) 配置,電壓/電流波形以及能量損耗
動態參數測試主要用于評估器件在開關過程中的性能,需要在器件的開關頻率和瞬態條件下進行,重點在于分析器件在導通和關斷瞬間的行為,動態性能的四個指標包括開關損耗、時間、過沖、開關速度。常見的動態參數包括:導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間、開通損耗、關斷損耗、反向恢復電流、反向恢復時間、反向恢復能量、開關損耗等。動態測試的原理是在所需的工作條件下發射單脈沖或雙脈沖,以便從測量的波形中提取器件上述開關特性相關參數。
03
功率半導體測試中的數據采集模塊
功率半導體測試設備通常由信號發生器、高壓電源、驅動電路、電壓探頭/電流傳感器、充放電模塊、溫控模塊、數據采集模塊等構成。測試系統對雜散電感、負載電感、共模干擾非常敏感,這也要求高速數據采集系統準確記錄開關波形、反向恢復波形、串擾波形特征,尤其是各種震蕩信號細節。 數據采集模塊是半導體測試機中的重要組成部件之一。中科采象基于PXIe/PCIe架構推出了創新的功率半導體測試數據采集解決方案,保障采集信號數據的安全性與完整性,通過FPGA的波形數字化處理算法和模塊化儀器技術,實現高速實時數據處理,并能靈活適配各種應用需求和場景。相比傳統的示波器方案,主要優勢有: 系統集成度更高,模塊化設計體積小巧,易于集成。 傳輸速度更快,高速PCIe 3.0 x8 的傳輸速率為 64 Gbps,相比示波器千兆以太網接口1Gbps速率,數據傳輸速率可提高64倍。 數據處理方式更靈活,可通過板載FPGA進行自定義算法開發,全面優化測試過程,提高測量效率和精準度。


